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美國吉時利keithley半導體器件實驗

日期：2012-11-30瀏覽：3536次

美國吉時利keithley半導體器件實驗

•概述

•測量范例

•介紹 ACS 基礎版

•測試方案

•常用產品

•相關資料

•其它應用領域

美國吉時利keithley半導體器件實驗概述

半導體器件 / 微電子實驗室是現代電子工程教育課程的一個主要部分。它允許大學生應用他們在器件物理學和 VLSI 課程學到的內容。在半導體器件實驗課程中，學生通過“自己動手”學習半導體微米 / 納米制造技術、工藝和電特性分析。教育經驗包括熟悉工藝設計、仿真和集成。當理解了這些概念后，學生將制造、分析和評估各種半導體器件，例如二極管、雙極晶體管和場效應晶體管、無源元件乃至集成電路器件。

對于實驗室研究的所有半導體器件，zui常見的電特性分析方法是：

MOSFET 的典型 I-V 圖

典型 C-V 測線圖

1.電流與電壓（I-V）測試顯示了流過的直流電流和電子器件以及器件兩端直流電壓之間的關系。

2.電容與電壓（C-V）測試用于分析半導體材料和結構參數，例如表面俘獲電荷密度、固定電荷和氧化層電荷。

美國吉時利keithley半導體器件實驗測量范例

半導體器件 / 微電子教學實驗室典型的主題包括制造和分析各種器件：

1. MOS 電容器

主題

C-V 曲線（高頻：100kHz）：

摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應和溫度效應。

I-V 曲線分析：

電荷建立（測量電壓 - 時間圖，用低電流源）；氧化層電容測定；與 C-V 曲線比較。

C-V 曲線（準靜態）結合 C-V 曲線：

表面電位 Ψs 與施加電壓的關系 – Si （100）的表面態密度 Dit = f （Ψs）與 Si （111）的相比：方向和后處理退火的影響。

C-V 曲線（高頻：100kHz）：

移動氧化層電荷密度（偏壓溫度應力：200°C，10 分鐘，±10V）

2. 雙極結型晶體管

主題

正向共發射極輸出特性：Ic = f （Vce>0,Ib）, Iceo （f）測量。

正向 CE 輸入特性：Ib = f （Vbe）對于幾個 Vce 正值。

正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f（Vbe >0）.

確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。

Βf 與 log（Ic）的關系：低注入和高注入的效果。

非理想特性：爾利電壓。

反向 CE 輸出特性： Ic=f（Vce<0,Ib）, Iceo（r）.

反向 CE 傳輸特性：Ib=f（Vbe）對于幾個Vce負值。

反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f（Vbc>0）.

確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。

Βr 與 log（Ie）的關系：低注入和高注入的效果。

Vce（sat） = Vbe（on） – Vbc（on）確定，對于給定的 Ib 電流。

Ebers Moll 模型構建并且與實驗做比較。

BE 和 CE 結的 C-V 特性分析。基區摻雜濃縮。

3. 亞微米集成 MOSFET

主題

輸出特性：IDS = f（VDS,VGS）:

p型 MOSFET （增強或耗盡），溝道長度調制參數（λ）在飽和區域（VDS<–3V）有效溝道長度與 VDS 的關系。

傳輸特性：

IDS = f（VGS） and Transconductance gm = f（VGS） in the linear region （VDS = –0.1V）: Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.

襯底偏壓特性：

IDS = f（VGS,VBS>0）, determination of the γ factor in the linear region （VDS = –0.1V）. Doping concentration substrate.

亞閾值特性：

log （IDS） = f（VGS） for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering （VT shift） effect.

襯底電流特性：

log （Ibs） = f（VGS） for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.

使用長溝道和短溝道公式的輸出特性模型：

比較實驗結果。

美國吉時利keithley半導體器件實驗介紹 ACS 基礎版

ACS 基礎版能讓工程專業學生在學習基礎電子器件過程中獲得的學習效果并且幫助研究生加快下一代半導體或納米級器件的特性分析研究。當配合一臺或多臺 2600A 系列數字源表使用時，ACS 基礎版成為一款強大但簡單易用的元件特性分析和曲線追蹤工具。它具有全面的參數分析套件，因此能快捷地提供理解基本電子器件如何工作或者理解新型器件或材料氣的電特性所需的測試結果。

當您需要快速獲取電子器件或封裝產品的某些數據時，為 ACS 基礎版開發并基于向導的用戶接口能像常見的 FET 曲線跟蹤測試那樣容易地查找和運行您需要的測試。與傳統模擬曲線跟蹤軟件非常類似，ACS 基礎版能快速產生電子器件或封裝產品的一系列曲線，而且能靈活、容易地對結果進行保存、比較和關聯。

主要特性和優點：

測量時間短 – 安裝簡單、直觀的測試選擇向導并且內建測試；

無需編寫代碼 - ACS 具有直觀的 GUI 能快速簡化 I-V 測試、分析和結果；

優化器件測試、驗證和分析應用；

硬件靈活性 – 動態地加入或移除設備以滿足獨立測試的需要；

預裝應用庫 – 一組極豐富的超快、易于訪問的測試庫；

模塊化的靈活軟件架構便于擴展系統并使系統應用能滿足的測試需要；

免費可選后臺軟件許可，能容易地在另一臺PC上開發新的測試序列，無需掛起正在執行工作的系統。

測試方案

半導體器件實驗室的核心是參數分析儀。簡單易用的 Model 4200-SCS半導體特性分析系統能進行實驗室級的直流和脈沖器件特性分析、實時繪制以及高精密和亞飛安分辨率的分析。4200-SCS 結合了 4200-CVU 的集成選件，現能讓半導體測試用戶靈活地創建集成了 DC、脈沖和 C-V 測試功能的方案，所有功能都囊括在節省空間的機殼中和集成的測試環境中。

為了簡單、快速地測量二極管、晶體管、運放等有源器件和的半導體器件結構，吉時利的 2400 系列 SourceMeter®儀器和 2600 系列數字源表在一臺儀器中集成了精密電源、真電流源和 DMM 等多種測試功能。2600 系列還包含任意波形發生器、帶測量功能的電壓或電流脈沖發生器、電子負載和觸發控制器。

當設計和試驗低電阻、低功耗半導體器時，管理電源對于防止器件損壞而言至關重要。分析現代材料、半導體和納米電子元件的電阻需要輸出極低電流和測量極低電壓的能力。吉時利的 delta 模式（電流反轉極性）電阻測量功能結合了 6220 或 6221 的低電流 DC 源能力以及2182A 的低壓測量精度，從而非常適合于低阻測量（低至 10 nΩ）適于分析導通電阻參數、互連和低功率半導體。

可免費下載的 LabTracer® 2.0 軟件允許用戶快速、簡單地配置和控制多達8條2600系列或2400系列源表的通道用于曲線追蹤或器件特性分析。它具有簡單的圖形用戶接口用于設置、控制、數據采集和繪制數字源表的 DUT 數據。當LabTracer與數字源表結合使用時，就能為實驗室的用戶提供強大、易用和經濟的機箱方案。3400 系列脈沖/碼型發生器具有碼型發生和全面控制脈沖幅度、上升時間、下降時間、寬度和占空比等各種脈沖參數能力，因而非常適合納米電子研究人員、半導體器件研究人員、射頻器件設計工程師和教育工作者等用戶的需要。

常用產品

點擊以下鏈接將您直接帶到每款產品的網頁，其中包含該產品的手冊、軟件和驅動的鏈接。

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數字源表

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美國吉時利keithley2420型3A源表

美國吉時利keithley2425型高功率源表

美國吉時利keithley2430型脈沖源表

美國吉時利keithley2440型源表

美國吉時利keithley2601型高吞吐量源表

美國吉時利keithley2602型雙通道高吞吐量源表

美國吉時利keithley2611型高壓和脈沖輸出源表

美國吉時利keithley2612型雙通道高壓和脈沖輸出源表

美國吉時利keithley2635型低電流和脈沖輸出源表

美國吉時利keithley2636型雙通道低電流和脈沖輸出源表

脈沖發生器

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美國吉時利keithley2611型和2612型 SourceMeter®儀器（200V）

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美國吉時利keithley產品數據

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白皮書4200-SCS

基于吉時利4200-SCS 的局域網實驗室用于微電子工程教育

縮短HCI測試時間的白皮書

用于先進CMOS技術的脈沖可靠性測試

高K柵極電介質電荷俘獲行為的脈沖特性分析

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為大學生半導體制造實驗室設計特性分析系統

用6線歐姆測量技術進行更高準確度的電阻測量

FPD技術演進帶來新的測試現實

新的測試定序儀器降低器件制造商的測試成本

電流源 / 納伏表

新型儀器能穩住鎖定狀態

在低功率和低壓應用中實現準確、可靠的電阻測量

一種微分電導測量的改進方法

應用筆記

4200-SCS

#2361創建用于 4200-SCS 的寫探頭驅動程序

#2240評估氧化層的可靠性

#2241用低噪聲 4200-SCS 進行超低電流測量

#2197熱載流子導致 MOSFET 器件性能退化的評估

#2239用4200進行柵極電介質電容 - 電壓特性分析

在集成電路的觸點級探測晶體管

使用吉時利4200-SCS監測MOSFET器件溝道熱載流子（CHC）退化

利用4200-SCS和 Zyvex S100型納米控制器實現納米線和納米管的 I-V 測量

#2475用4200-SCS實現4探針電阻率和霍爾電壓測量

基于4200-SCS半導體特性分析系統的MOS電容C-V特性分析

面向CMOS晶體管的4200 脈沖IV測量

#2876使用4200-SCS半導體特性分析系統對太陽能 / 光伏電池進行 I-V 和 C-V 測量

#2851用4200-SCS半導體特性分析系統和3400系列脈沖 / 碼型發生器進行電荷泵測量

#2311RF功率晶體管的直流電氣特性分析

脈沖發生器

#2851 用 4200-SCS 半導體特性分析系統和 3400 系列脈沖 / 碼型發生器進行電荷泵測量

電流源 / 納伏表

#2611 基于 6221 / 2182A 組合的低電平脈沖電氣特性分析

#2615 使用四點共線探針和 6221 電流源確定電阻率和電導率類型

其它應用領域

電路基礎電子實驗室

納米科學研究實驗室

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