新聞資訊您當前的位置：首頁 > 新聞資訊 > 萬用表DMM源測SMU晶體管反向漏電、擊穿電壓、閾值電壓測試
萬用表DMM源測SMU晶體管反向漏電、擊穿電壓、閾值電壓測試
日期：2014-07-14瀏覽：2454次
吉時利KEITHLEY2000萬用表DMM，2600源測量單元SMU進行晶體管，運放正向電壓、反向漏電、反向擊穿電壓、閾值電壓、β和跨導參數測試
序由：歐姆定律指出電路元件兩端的電壓 V 與流經電路元件的電流 I 和此元件的電阻 R 的關系：R = V/I。2 端 DMM 通過測試線輸出測試電流zui終流入 DMM 的 HI-LO 輸入端子。這種 2 線歐姆系統適合大多數電阻測量應用。然而，測試線的 I-R 壓降會導致 (RL) 在較低電阻的測量中準確度明顯降低。４線歐姆測量或 Kelvin 測量通過將兩條高阻抗電壓感測線引出至未知電阻 RX，從而避開了 RL 兩端的電壓降。由于高輸入阻抗導致感測電路中的電流非常小，因此測試線實際上沒有 I-R 壓降，而且在兩個感測端子看到的電壓與 RX 兩端形成的電壓相等。
而美國吉時利KEITHLEY源測量單元SMU可以充當用作電壓表、電流表、歐姆表、電源或源負載以測量電壓、電流、電阻以及I-V特性分析和曲線跟蹤。然而，SMU 的真正優勢在于同時進行源和測量——例如在電阻器、二極管、晶體管和運放等基礎元器件測量中，對被測器件（負載）施加電壓并測量負載上通過的電流，或著對負載提供電流并測量負載兩端的壓降。源測量單元或 SMU 能用作獨立的恒壓源或恒流源并用作單獨的電壓表或電流表。SMU 能測量二極管的正向電壓、反向漏電和反向擊穿電壓。SMU 是 I-V 特性分析測試的核心儀器，例如探測二極管和晶體管的基本原理。兩臺 SMU 結合使用就能進行閾值電壓、β 和跨導參數測試以及產生半導體曲線族。
產品分類
- 氫檢儀氣密性檢漏檢測儀
- 國產源表，替代keithley
- 穩科Wayne Kerr/MICROTEST
- 體積電阻率/表面電阻測試
- 半導體I-V/C-V/I-R測試
- 介電常數/電導率測試方案
- 大眾VW80000/通用GMW3172/ISO16750標準測試
- 電化學工作站/恒電位儀
- IBGT/MOSFET/SiC/GaN測試
- 電池/光伏/汽車充電樁測試
- DESCO/KLEINWACHTER靜電測試
- 體積電阻，電阻計，記錄儀
- 吉時利KEITHLEY/泰克Tektronix
- 安捷倫Agilent/是德KEYSIGHT
- 愛斯佩克ESPEC環境試驗箱
- 普源RIGOL/致遠ZLG/鼎陽SIGLENT
- 邏輯分析儀/總線協議測試
- Chroma致茂/EEC華儀EXTECH
- EMI/EMC/EMS電磁干擾兼容
- 賽多利斯/奧豪斯OHAUS
- 艾卡IKA
- 愛色麗X-Rite/電色NIPPON
- 紅外熱像儀
- 哈希HACH/萬通Metrohm
- 賓德BINDER試驗箱
- 賽默飛Thermo X射線光譜儀
- 博勒飛Brookfield
- 物料輪廓顏色缺料視覺篩選
- ADCMT愛德萬ADVANTEST
- 金相切割/鑲嵌/研磨拋光
- 梅特勒METTLER
- 美國BK PRECISION
- ITECH艾德克斯/NGI恩智
- COSMOS氣體/鐵粉濃度計
- 羅德與施瓦茨R&S（惠美HAMEG）
- 同惠/長盛/安柏
- 標準源/計量校準檢定設備
- 晶圓、芯片、屏幕Particle
- 日置HIOKI/國產替代
- 鎖相放大器
- 噪聲/振動/聲學測試方案
- 日本KIKUSUI/IWATSU/HIOKI
- 電聲器件測試設備
- 長盛耐壓絕緣電阻安規測試
- 永磁軟磁磁通量測試
- 汽車電子標準波形可編程電源
- 安捷倫Agilent色譜質譜GC
- 默克Merck密理博Millipore
- SHIMAZU島津
聯系我們
在線客服：
